[发明专利]芯片封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201880001144.5 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN109075140A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 陆斌;沈健 | 申请（专利权）人： | 深圳市为通博科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 钭飒飒 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区南头*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种芯片封装结构及其制造方法。该结构，包括：第一芯片、第二芯片，所述第一芯片位于所述第二芯片的衬底内，且所述第一芯片通过导电通道与所述第二芯片的互连层内的金属互连线电连接；其中，所述第一芯片的外表面与所述第二芯片的衬底之间还填充有绝缘层。从而可以隐藏第一芯片的焊盘(引脚、电极等)，提高集成芯片的安全性，增加芯片破解的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 芯片封装结构 衬底 绝缘层 金属互连线 导电通道 集成芯片 芯片破解 电连接 互连层 电极 焊盘 引脚 填充 制造 | ||
【主权项】：
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：第一芯片；和第二芯片，所述第二芯片包括衬底和互连层，所述互连层内包括金属互连线，所述第一芯片位于所述第二芯片的衬底内，且所述第一芯片通过位于所述第二芯片内的导电通道与所述第二芯片的互连层内的金属互连线电连接，所述第一芯片的外表面与所述第二芯片的所述衬底之间还填充有绝缘层。
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