[发明专利]阻变式存储器的制造方法和阻变式存储器有效
| 申请号： | 201880000596.1 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN110557969B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 姚国峰;沈健 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 钭飒飒 |
| 地址： | 518045 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻变式存储器的制造方法和阻变式存储器，该方法，包括：在绝缘层上硅SOI晶圆上设置填充多晶硅的深沟槽，得到带有深沟槽的SOI晶圆；其中，深沟槽贯穿SOI晶圆的硅器件层、埋氧层，并抵达支撑层；在带有深沟槽的SOI晶圆上制作互补金属氧化物半导体CMOS电路，得到包含CMOS电路的SOI晶圆；将包含CMOS电路的SOI晶圆的支撑层减薄至埋氧层的表面，并在填充多晶硅的深沟槽的顶端位置形成凹槽；在SOI晶圆的埋氧层上制作忆阻器。从而实现RRAM标准CMOS电路制作工艺与忆阻器制作工艺的分离，使得在RRAM的规模化生产过程中引入贵金属作为忆阻器的电极，从而提高RRAM中忆阻器的电学存储特性。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变式 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。/n
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