[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201822246157.9 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209298119U | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 夏凯;周炳;许新佳;陈雨雁;赵承杰 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 杨淑霞 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件，其包括：衬底层、沟道层、势垒层、钝化层、阳极和阴极；沟道层位于衬底层上，势垒层位于沟道层上，钝化层形成于势垒层上，阳极和阴极位于势垒层上，并分布于钝化层的两侧，阳极的一端延伸至钝化层的顶面上，并覆盖钝化层至少三分之一的区域，阴极的一端延伸至沟道层和势垒层之间的位置，并与沟道层和势垒层之间的二维电子气形成欧姆接触，钝化层的长度为阳极和阴极之间的电极间距，钝化层的长度至少为势垒层长度的二分之一。本实用新型通过使得阳极的一端延伸至钝化层的顶面上，并覆盖钝化层至少三分之一的区域，同时使得钝化层的长度至少为势垒层长度的二分之一，有利于提高击穿电压，并改善器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化层 势垒层 阳极 沟道层 阴极 半导体器件 本实用新型 衬底层 延伸 二维电子气 击穿电压 欧姆接触 电极 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：衬底层、沟道层、势垒层、钝化层、阳极和阴极；所述沟道层位于所述衬底层上，所述势垒层位于所述沟道层上，所述钝化层形成于所述势垒层上，所述阳极和阴极位于所述势垒层上，并分布于所述钝化层的两侧，所述阳极的一端延伸至所述钝化层的顶面上，并覆盖所述钝化层至少三分之一的区域，所述阴极的一端延伸至所述沟道层和势垒层之间的位置，并与所述沟道层和势垒层之间的二维电子气形成欧姆接触，所述钝化层的长度为所述阳极和阴极之间的电极间距，所述钝化层的长度至少为所述势垒层长度的二分之一。
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