[实用新型]新型非接触式高速解调电路

摘要

本实用新型提供了新型非接触式高速解调电路，所述高速解调电路包括电磁感应耦合电路、全波整流电路和解调电路，其中，电磁感应耦合电路包括第一电感器、第二电感器和第一电容器，第一电感器的两端连接高频交流信号，第二电感器的一端连接第二电容器的一端，第二电感器的另一端与第二电容器的另一端相连接，第一电感器与第二电感器通过互感系数间接连接。所述解调电路引入了第八NMOS晶体管、第五电容器和第一电压缓冲器，通过调节第八NMOS晶体管中的电流大小，有效地控制检波电路的功耗；第五电容器隔断直流电压，将有效的交流信号输入到第一电压缓冲器的负端，降低对第一电压缓冲器输入端器件耐压的要求，提高解调电路的稳定性。

主权项

1.一种新型非接触式高速解调电路，其特征在于，所述高速解调电路包括电磁感应耦合电路、全波整流电路和解调电路，其中，电磁感应耦合电路包括第一电感器、第二电感器和第一电容器，第一电感器的两端连接高频交流信号，第二电感器的一端连接第二电容器的一端，第二电感器的另一端与第二电容器的另一端相连接，第一电感器与第二电感器通过互感系数间接连接；全波整流电路包括第第二电容器、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管和第一低压差线性稳压器，第一NMOS晶体管的源端、第二NMOS晶体管的源端以及第二电容器的一端相连接并接地端VSS，第一NMOS晶体管的栅端、第二NMOS晶体管的漏端、第三NMOS晶体管的栅端、第三NMOS晶体管的漏端以及第二电感器的一端相连接，第一NMOS晶体管的漏端、第二NMOS晶体管的栅端、第四NMOS晶体管的栅端、第四NMOS晶体管的漏端以及第二电感器的另一端相连接，第三NMOS晶体管的源端、第四NMOS晶体管的源端、第一电容器的另一端与整流输出电压相连接，整流输出电压接第一低压差线性稳压器的电源端，第一低压差线性稳压器的另一端接地端VSS，第一低压差线性稳压器的输出电压端VDD；解调电路包括第三电容器、第四电容器、第五电容器、第五NMOS晶体管、第六NMOS晶体管、第七NMOS晶体管、第八NMOS晶体管、第一电压缓冲器和第一迟滞比较器，第五NMOS晶体管的栅端、第五NMOS晶体管的漏端与第二电感器的一端相连接，第六NMOS晶体管的栅端、第六NMOS晶体管的漏端与第二电感器的另一端相连接，第五NMOS晶体管的源端、第六NMOS晶体管的源端、第八NMOS晶体管的漏端与第三电容器的一端相连接，第三电容器的另一端、第四电容器的一端与第五电容器的一端相连接，第八NMOS晶体管的源端、第四电容器的另一端相连接、第七NMOS晶体管的源端与地端VSS相连接，第七NMOS晶体管的栅端、第七NMOS晶体管的漏端、第八NMOS晶体管的栅端与参考电流IREF相连接，第五电容器的另一端、第一电压缓冲器的负端、第一电压缓冲器的输出端与第一迟滞比较器的负端相连接，第一电压缓冲器的正端与直流偏值参考电压相连接，第一迟滞比较器的正端与直流偏值参考电压相连接，第一电压缓冲器的电源、第一迟滞比较器的电源与整流电路里的第一低压差线性稳压器的输出电压端VDD相连接，第一电压缓冲器的地端、第一迟滞比较器的地端与地端VSS相连接；二极管连接形式的第五NMOS晶体管和第六NMOS晶体管、第八NMOS晶体管、第三电容器和第四电容器组成检波电路；所述高速解调电路工作时，应答器感应线圈捕获读写器天线上发射的电磁波，读写器发送信号，电磁波叠加有效信号，电磁波通过检波电路，得到读写器发送的有效检波信号，该检波信号经过检波第三电容器和第四电容器分压后输入到第五电容器，第五电容器隔直流通交流，留下交流信号，该交流信号再由解调电路中的第一电压缓冲器为其提供直流偏值参考电压，第一电压缓冲器输出阻抗，直流偏值参考电压的信号经过第一迟滞比较器与直流偏值参考电压的比较输出数字信号，数字信号经过数字解调电路正确解读后，应答器给出相应回答。