[实用新型]双极性三极管器件有效
| 申请号： | 201822164690.0 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN209544356U | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 孙澜;章剑锋;刘宗华 | 申请（专利权）人： | 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 彭琼 |
| 地址： | 330200 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种双极性三极管器件，该双极性三极管器件包括衬底、外延层和双极性三极管；双极性三极管包括：由轻掺杂的N‑型单晶硅外延层组成的集电区；由掺杂碳原子的P型单晶硅锗合金组成的基区，P型单晶硅锗合金中锗的含量沿第一方向由零递增至第一阈值后再递减为零；由重掺杂的N+型单晶硅组成的发射区；金属电极，包括集电极、基极和发射极；衬底为重掺杂的P+型单晶硅衬底；外延层包括沿第一方向层叠设置的轻掺杂的P‑型单晶硅外延层和重掺杂的N+型单晶硅外延层，集电区位于在N+型单晶硅外延层上，以使P+型单晶硅衬底与集电区之间形成反向PN结隔离。本实施例的双极性三极管器件具有较高的电流增益以及较好的隔离效果。 | ||
| 搜索关键词： | 双极性三极管 单晶硅外延 衬底 单晶硅 集电区 轻掺杂 外延层 锗合金 重掺杂 本实用新型 层叠设置 电流增益 隔离效果 金属电极 掺杂的 发射极 发射区 集电极 碳原子 基区 递减 掺杂 递增 | ||
【主权项】：
1.一种双极性三极管器件，其特征在于，包括衬底和沿第一方向依次层叠设置在所述衬底上的外延层和双极性三极管；所述双极性三极管包括：集电区，由轻掺杂的N‑型单晶硅外延层组成；基区，沿所述第一方向上层叠设置于所述集电区背离所述衬底的一侧，所述基区由掺杂碳原子的P型单晶硅锗合金组成，所述P型单晶硅锗合金中锗的含量沿所述第一方向由零递增至第一阈值后再递减为零；发射区，沿所述第一方向层叠设置于所述基区背离所述衬底的一侧，由重掺杂的N+型单晶硅组成；金属电极，包括集电极、基极和发射极，所述集电极与所述集电区电连接，所述基极与所述基区电连接，所述发射极与所述发射区电连接；所述衬底为重掺杂的P+型单晶硅衬底，所述外延层包括沿第一方向依次层叠设置的轻掺杂的P‑型单晶硅外延层和重掺杂的N+型单晶硅外延层，所述集电区位于在所述N+型单晶硅外延层上，以使所述P+型单晶硅衬底与所述集电区之间形成反向PN结隔离。
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