[实用新型]一种Si基改性Ge单片同层结构

摘要

本实用新型属于半导体技术以及半导体制造领域，具体涉及一种Si基改性Ge单片同层结构，包括：基底层；发光部分，位于所述基底层上层的一侧；探测部分，位于所述基底层上层的另一侧，并与所述发光部分相对设置；波导部分，位于所述基底层的上层，且位于所述发光部分与所述探测部分之间；隔离层，位于所述基底层的上层，与所述波导部分相邻且对称设置于所述波导部分两侧。本实用新型采用同质外延材料形成器件的各个组成部分，解决了器件在工作时各部分之间不兼容的问题；采用压应力膜和张应力膜调节应力膜覆盖区域的应力大小，实现了器件各组成部分的禁带宽度调节。

主权项

1.一种Si基改性Ge单片同层结构，其特征在于，包括：基底层(1)；发光部分(2)，位于所述基底层(1)上层的一侧；探测部分(3)，位于所述基底层(1)上层的另一侧，并与所述发光部分(2)相对设置；波导部分(4)，位于所述基底层(1)的上层，且位于所述发光部分(2)与所述探测部分(3)之间；隔离层(5)，位于所述基底层(1)的上层，与所述波导部分(4)相邻且对称设置于所述波导部分(4)两侧。