[实用新型]硅基光互连系统有效
| 申请号： | 201822144918.X | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN209514127U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 薛磊;岳庆冬 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种硅基光互连系统，包括：第一硅衬底、光电器件、CMOS器件及第一隔离层，所述光电器件和所述CMOS器件均设置于所述第一硅衬底之上，所述第一隔离层设置于所述第一硅衬底和所述光电器件之间，本实用新型的硅基光互连系统集成了光电器件和CMOS，且光电器件和CMOS共用硅衬底，光电器件的光源、波导、探测器共用硅衬底，能应用于芯片等光传输结构中，器件的兼容性高，光耦合效率高，器件的传输性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 光电器件 硅衬底 光互连系统 硅基 本实用新型 隔离层 光传输结构 光耦合效率 传输性能 兼容性 探测器 波导 光源 芯片 应用 | ||
【主权项】：
1.一种硅基光互连系统，其特征在于，包括：第一硅衬底、光电器件、CMOS器件及第一隔离层，所述光电器件和所述CMOS器件均设置于所述第一硅衬底之上，所述第一隔离层设置于所述第一硅衬底和所述光电器件之间，其中，所述光电器件包括：依次层叠设置于所述第一硅衬底之上的第二硅衬底层、Ge籽晶层、P型Ge层、N型Ge层、N型Si层、第二隔离层，其中，所述P型Ge层、所述N型Ge层、所述N型Si层、所述第二隔离层被第一隔离槽和第二隔离槽隔离形成光源单元、光波导单元、探测器单元。
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