[实用新型]一种倒装型可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列

摘要

本实用新型公开了一种倒装型可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列，包括衬底以及设于衬底底部的阳极，所述衬底上表面设有凹槽，所述凹槽中自下而上依次包括：阴极、非耗尽层、倍增层和场控层，且阴极、非耗尽层、倍增层和场控层与所述衬底之间绝缘；所述场控层上覆有吸收层，且所述吸收层与所述衬底相接。同时还公开了由上述倒装型可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列设置组成的高增益倒装型可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列及其制备方法。本实用新型通过将吸收层设置在器件的表层，同时将器件的上阳极设置于器件的底部，大大提高了器件的量子效率以及对可见光的灵敏度；并且将器件进行阵列化分割，提高了器件的响应速度和增益。

主权项

1.一种倒装型可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列，其特征在于，所述雪崩光电二极管阵列为SACM型APD，包括衬底以及设于衬底底部的阳极，所述衬底上表面设有凹槽，所述凹槽中自下而上依次包括：阴极、非耗尽层、倍增层和场控层，且阴极、非耗尽层、倍增层和场控层与所述衬底之间绝缘；所述场控层上覆有吸收层，且所述吸收层与所述衬底相接；所述衬底为p⁺型硅片；所述非耗尽层为n⁺型的硅外延层；所述倍增层为π型的硅外延层；所述场控层为p型的硅外延层；所述吸收层为π型硅外延层。