[实用新型]氮化镓基高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201822065168.7 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN209199943U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 大藤彻;谢明达 | 申请（专利权）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾苗粟*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，包括衬底；缓冲层设置于衬底上、主动层设置于缓冲层上，且具有源极、漏极及栅极，其中源极及漏极在主动层的第一表面下方，栅极在主动层的第一表面上，并且在源极与漏极之间；第一介电层覆盖主动层的部份第一表面；源极欧姆接触层设置于源极上；漏极欧姆接触层设置于漏极上；第二介电层覆盖主动层的部份第一表面、并暴露出源极欧姆接触层及漏极欧姆接触层；源场板设置于栅极上方且与栅极之间具有空气间隙；以及金属层，设置于源极欧姆接触层与漏极欧姆接触层上，并覆盖邻近于源极欧姆接触层与漏极欧姆接触层上的部份第二介电层及部份第一介电层，利用栅极与源场板之间的空气间隙，降低栅极和源极的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆接触层 源极 漏极 主动层 第一表面 介电层 氮化镓基高电子迁移率晶体管 空气间隙 缓冲层 源场板 衬底 覆盖 金属层 电容 邻近 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括:衬底；缓冲层，所述缓冲层设置于所述衬底上；主动层，所述主动层设置于所述缓冲层上，且所述主动层具有源极、漏极及栅极，其中所述源极及所述漏极在所述主动层的第一表面下方，所述栅极在所述主动层的第一表面上，并且在所述源极与所述漏极之间：第一介电层，覆盖所述主动层的部份所述第一表面：源极欧姆接触层，设置于所述源极上；漏极欧姆接触层，设置于所述漏极上；第二介电层，覆盖所述主动层的部份所述第一表面并暴露出所述源极欧姆接触层及所述漏极欧姆接触层；源场板，设置于所述栅极上且与所述栅极之间具有空气间隙：金属层，分别设置于所述源极欧姆接触层与所述漏极欧姆接触层上，并覆盖邻近于所述源极欧姆接触层与所述漏极欧姆接触层上的部份所述第二介电层及部份所述第一介电层：以及第三介电层，所述第三介电层覆盖所述第二介电层、所述源场板及所述金属层。
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