[实用新型]一种电容器及半导体器件有效
| 申请号： | 201822001984.1 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN209183578U | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种电容器及半导体器件中，所述电容器包括下电极、位于所述下电极上的电容介质层以及位于所述电容介质层上的上电极。相比具有单一第一晶相的电容介质层，本实用新型提供的电容器的电容介质层的材料的晶相结构包括第一晶相及比第一晶相具有更高介电常数的第二晶相，使电容介质层整体介电常数增大，进而提升了电容器的电容量。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 电容介质层 半导体器件 本实用新型 下电极 整体介电常数 高介电常数 晶相结构 电极 电容量 | ||
【主权项】：
1.一种电容器，其特征在于，包括：下电极、位于所述下电极上的电容介质层以及位于所述电容介质层上的上电极；所述电容介质层的材料包括第一晶相和第二晶相两种晶相结构，所述第二晶相的介电常数高于所述第一晶相的介电常数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201822001984.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种凝胶驱动器
- 下一篇：铁壳电池用塑料圈与金属铁底的装配结构
