[实用新型]紧耦合分裂电抗器及其耦合结构有效

专利信息
申请号: 201822000894.0 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN208908179U 公开(公告)日: 2019-05-28
发明(设计)人: 陈意龙;赵杨;吴宝春;张月华;郝文光;张德金;刘成柱;蒋观平;王圳 申请(专利权)人: 北京电力设备总厂有限公司
主分类号: H01F27/28 分类号: H01F27/28
代理公司: 北京智绘未来专利代理事务所(普通合伙) 11689 代理人: 郭红燕;张红莲
地址: 102401 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型提供紧耦合分裂电抗器及其耦合结构。所述耦合结构包括至少一个第一线圈包封结构和至少一个第二线圈包封结构。所述第一线圈包封结构包括第一导线层和第一包封层,所述第一导线层由导线顺时针绕制形成,所述第一包封层对所述第一导线层形成包封。所述第二线圈包封结构包括第二导线层和第二包封层,所述第二导线层由导线逆时针绕制形成,所述第二包封层对所述第二导线层形成包封。所述第一线圈包封结构和所述第二线圈包封结构以同一个绕线轴为中心由到外依次循环布置,相邻的所述第一线圈包封结构与所述第二线圈包封结构之间设置有多个间隔件。本实用新型的耦合结构确保了电抗器漏磁小、损耗小,且对外部设备影响很小。
搜索关键词: 线圈包封 导线层 耦合结构 包封层 电抗器 本实用新型 紧耦合 包封 绕制 外部设备 循环布置 间隔件 绕线轴 顺时针 分裂 漏磁
【主权项】:
1.一种紧耦合分裂电抗器的耦合结构,其包括至少一个第一线圈包封结构和至少一个第二线圈包封结构,其特征在于:所述第一线圈包封结构包括第一导线层和第一包封层,所述第一导线层由导线顺时针或顺时针绕制形成,所述第一包封层对所述第一导线层形成包封,所述第二线圈包封结构包括第二导线层和第二包封层,所述第二导线层由导线逆时针或顺时针绕制形成,所述第二包封层对所述第二导线层形成包封,所述第一线圈包封结构和所述第二线圈包封结构以同一个绕线轴为中心由到外依次循环布置,相邻的所述第一线圈包封结构与所述第二线圈包封结构之间设置有多个间隔件。
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