[实用新型]一种超高灵敏度的压电三极管有效

专利信息
申请号: 201821988710.X 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN209169149U 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: 兰新涛;杨超;饶铭 申请(专利权)人: 深圳市灿升实业发展有限公司
主分类号: H01L29/72 分类号: H01L29/72;H01L29/20;H01L29/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518115 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种超高灵敏度的压电三极管,从上至下依次包括均掺杂有纤锌矿结构GaN的集电区、基区和发射区,所述集电区的上方连接有掺杂纤锌矿结构GaN的集电极,所述基区的左侧连接有掺杂纤锌矿结构GaN的基极,所述发射区的下方连接有掺杂纤锌矿结构GaN的发射极,所述基区与集电区、发射区之间均设置有纤锌矿结构的GaN压电层,通过采用纤锌矿结构GaN对该压电三极管的各个区域进行不同地掺杂,将其压电性以及半导体特性进行耦合,从而实现其超高灵敏度性能。
搜索关键词: 超高灵敏度 纤锌矿结构 锌矿结构 掺杂纤 发射区 集电区 三极管 基区 压电 掺杂 半导体特性 本实用新型 从上至下 耦合 发射极 集电极 压电层 压电性
【主权项】:
1.一种超高灵敏度的压电三极管,其特征在于:从上至下依次包括均掺杂有纤锌矿结构GaN的集电区(1)、基区(2)和发射区(3),所述集电区(1)的上方连接有掺杂纤锌矿结构GaN的集电极(4),所述基区(2)的左侧连接有掺杂纤锌矿结构GaN的基极(5),所述发射区(3)的下方连接有掺杂纤锌矿结构GaN的发射极(6),所述基区(2)与集电区(1)、发射区(3)之间均设置有纤锌矿结构的GaN压电层(7)。
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