[实用新型]一种Ka波段5bit数控移相器电路有效
申请号: | 201821982902.X | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN209710065U | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 徐小杰;吴洁 | 申请(专利权)人: | 南京天矽微电子科技有限公司 |
主分类号: | H03H11/20 | 分类号: | H03H11/20 |
代理公司: | 32360 南京泰普专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 窦贤宇<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 210000 江苏省南京市江宁*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种Ka波段5bit数控移相器电路,包括三极管FET1~29、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17。通过缩小最小步进,增大参考线路和移相线路之间的距离,达到加强Ka波段数控移相器的稳定性的作用。同时,创造性地采用了高低通式滤波器,可以展开带宽,减少集总元件的增加,从而有利于以后电路性能的改进。 | ||
搜索关键词: | 电阻 电容 数控移相器 本实用新型 滤波器 电路性能 集总元件 三极管 小步 带宽 电路 参考 改进 | ||
【主权项】:
1.一种Ka波段5bit数控移相器电路,其特征在于,包括三极管FET1、三极管FET2、三极管FET3、三极管FET4、三极管FET5、三极管FET7、三极管FET8、三极管FET9、三极管FET10、三极管FET11、三极管FET12、三极管FET13、三极管FET14、三极管FET15、三极管FET16、三极管FET17、三极管FET18、三极管FET19、三极管FET20、三极管FET21、三极管FET22、三极管FET23、三极管FET24、三极管FET25、三极管FET26、三极管FET27、三极管FET28、三极管FET29、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17,其中,所述三极管FET1的G极分别与信号RF_in、所述三极管FET5的G极连接,所述三极管FET1的D极接地,所述三极管FET1的S极分别与所述三极管FET2的D极、所述电阻R1的一端连接,所述三极管FET2的G极分别与所述三极管FET7的G极、所述三极管FET9的G极、所述三极管FET4的G极连接,所述三极管FET2的S极分别与所述三极管FET3的G极、所述三极管FET3的D极、所述三极管FET8的G极连接,所述三极管FET3的S极分别与所述三极管FET4的S极、所述电容C2的一端连接,所述三极管FET4的D极接地,所述电阻R1的另一端分别与所述电阻R2的一端、所述电容C1的一端连接,所述电容C1的另一端接地,所述电阻R2的另一端分别与所述三极管FET5的S极、所述三极管FET7的D极连接,所述三极管FET5的D极接地,所述三极管FET7的S极分别与所述三极管FET8的S极、所述三极管FET16的D极、所述三极管FET15的D极连接,所述三极管FET8的D极分别与所述三极管FET8的S极、所述电容C3的一端连接,所述电容C3的另一端分别与所述电容C2的另一端、所述电阻R3的一端连接,所述电阻R3的另一端接地,所述三极管FET17的D极接地,所述三极管FET17的G极分别与所述三极管FET12的G极、所述三极管FET15的G极、所述三极管FET10的G极连接,所述三极管FET17的S极分别与所述三极管FET16的S极、所述电阻R6的一端连接,所述三极管FET16的G极分别与所述三极管FET11的G极、所述三极管FET13的G极、所述三极管FET14的G极连接,所述三极管FET15的S极分别与所述三极管FET14的S极、所述电容C5的一端连接,所述三极管FET14的D极接地,所属电阻R6的另一端分别与所述电容C6的一端、所述电阻R5的一端连接,所述电阻R5的另一端分别与所述三极管FET12的S极、所述三极管FET11的S极连接,所述三极管FET12的D极接地,所述三极管FET11的D极分别与所述三极管FET10的D极、所述三极管FET18的D极、所述电阻R7的一端连接,所述三极管FET10的S极分别与所述三极管FET13的S极、所述电容C4的一端连接,所述三极管FET13的D极接地,所述电容C4的另一端分别与所述电阻R4的一端、所述电容C5的另一端连接,所述电阻R4的另一端接地,所述三极管FET18的G极与所述三极管FET20的G极连接,所述三极管FET18的S极分别与所述电阻R8的一端、所述电阻R9的一端、所述三极管FET19的D极连接,所述电阻R8的另一端分别与所述电阻R7的另一端、所述三极管FET20的D极、所述电阻R11的一端连接,所述三极管FET20的S极分别与所述电阻R13的一端、所述电阻R11的另一端连接,所述电阻R13的另一端接地,所述三极管FET19的G极与所述三极管FET21的G极连接,所述三极管FET19的S极分别与所述电阻R10的一端、所述三极管FET23的D极连接、所述三极管FET24的D极连接,所述电阻R10的另一端分别与所述电阻R9的另一端、所述三极管FET21的D极、所述电阻R12的一端连接,所述三极管FET21的S极分别与所述电阻R14的一端、所述电阻R12的另一端连接,所述电阻R14的另一端接地,所述三极管FET22的D极接地,所述三极管FET22的G极分别与所述三极管FET24的G极、所述三极管FET27的G极、所述三极管FET29的G极、所述三极管FET26的G极、所述三极管FET25的G极连接,所述三极管FET22的S极分别与所述三极管FET23的S极、所述电阻R17的一端连接,所述三极管FET23的G极分别与所述三极管FET28的G极、所述信号RF_out连接,所述三极管FET24的S极分别与所述三极管FET25的S极、所述电容C8的一端连接,所述三极管FET25的D极接地,所述电阻R17的另一端分别与所述电阻R16的一端、所述电容C9的一端连接,所述电容C9的另一端接地,所述电阻R16的另一端分别与所述三极管FET27的S极、所述三极管FET28的S极连接,所述三极管FET27的D极接地,所述三极管FET28的D极与所述三极管FET29的D极连接,所述三极管FET29的S极分别与所述三极管FET26的S极、所述电容C7的一端连接,所述三极管FET26的D极接地,所述电容C7的另一端分别与所述电阻R15的一端、所述电容C8的另一端连接,所述电阻R15的另一端接地。/n
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