[实用新型]一种多层功率器件叠层封装结构有效

专利信息
申请号: 201821950560.3 申请日: 2018-11-23
公开(公告)号: CN208923094U 公开(公告)日: 2019-05-31
发明(设计)人: 于中尧;曹立强 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/36;H01L23/488;H01L25/065
代理公司: 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 代理人: 张东梅
地址: 214028 江苏省无锡市新区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种多层功率器件叠层封装结构,包括:第一基板;设置在第一嵌入槽中的第一功率芯片;贯穿第一基板的第一栅极导电通孔;第一源极扇出焊盘,第一源极扇出焊盘电连接至第一功率芯片的源极;第二功率芯片;贯穿第二基板和第一基板的第二栅极导电通孔;第二源极扇出焊盘,它电连接至第二功率芯片的源极;第三功率芯片,其漏极贴焊至第二源极扇出焊盘;第三基板,具有容纳第三功率芯片的嵌入槽;第三栅极导电通孔,第三栅极导电通孔贯穿第三基板、第二基板和第一基板,且电连接至第三功率芯片的栅极;源极导电通孔,源极导电通孔贯穿第三基板、第二基板和第一基板,且电连接至第三功率芯片的源极。
搜索关键词: 功率芯片 源极 导电通孔 第一基板 电连接 焊盘 扇出 第二基板 基板 叠层封装结构 贯穿 功率器件 嵌入槽 多层 本实用新型 漏极 贴焊 容纳
【主权项】:
1.一种多层功率器件叠层封装结构,其特征在于,包括:第一基板,所述第一基板具有第一嵌入槽;第一功率芯片,所述第一功率芯片设置在所述第一嵌入槽中;第一栅极导电通孔,所述第一栅极导电铜通孔贯穿所述第一基板,且电连接至所述第一功率芯片的栅极;第一源极扇出焊盘,所述第一源极扇出焊盘电连接至所述第一功率芯片的源极;第二功率芯片,所述第二功率芯片的漏极贴焊至所述第一源极扇出焊盘;第二基板,所述第二基板具有容纳所述第二功率芯片的嵌入槽;第二栅极导电通孔,所述第二栅极导电通孔贯穿所述第二基板和第一基板,且电连接至所述第二功率芯片的栅极;第二源极扇出焊盘,所述第二源极扇出焊盘电连接至所述第二功率芯片的源极;第三功率芯片,所述第三功率芯片的漏极贴焊至所述第二源极扇出焊盘;第三基板,所述第三基板具有容纳所述第三功率芯片的嵌入槽;第三栅极导电通孔,所述第三栅极导电通孔贯穿所述第三基板、第二基板和第一基板,且电连接至所述第三功率芯片的栅极;源极导电通孔,所述源极导电通孔贯穿所述第三基板、第二基板和第一基板,且电连接至所述第三功率芯片的源极。
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