[实用新型]氮化镓半导体器件有效
| 申请号： | 201821933530.1 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN209199940U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 陈彦良;大藤彻;谢明达 | 申请（专利权）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/15 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾苗粟*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种氮化镓半导体器件，其由下而上依序包括硅基板、第一缓冲层、第二缓冲层、第一氮化镓层、第二氮化镓层、阻障层及覆盖层，其特征在于，第二缓冲层为多层超晶格缓冲层，其为由Alx2Ga1‑x2N/Alx1Ga1‑x1N交错组成的超晶格缓冲层，且x1由1缓变至0.2；x2由0.8缓变至0，利用Alx2Ga1‑x2N/Alx1Ga1‑x1N交错组成的多层超晶格缓冲层可以多阶段的分散晶格应力，以解决现有技术中，晶格常数不匹配及热膨胀系数不匹配的缺陷，而改善氮化镓外延层质量以及降低外延晶圆翘曲的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 超晶格缓冲层 缓冲层 氮化镓半导体器件 氮化镓层 多层 缓变 匹配 交错 氮化镓外延层 热膨胀系数 晶格常数 晶圆翘曲 多阶段 覆盖层 硅基板 阻障层 晶格 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓半导体器件，由下而上依序包含硅基板、第一缓冲层、第二缓冲层、第一氮化镓层、第二氮化镓层、阻障层及覆盖层，其特征在于，所述第二缓冲层为多层超晶格缓冲层。
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