[实用新型]一种NFC天线有效
| 申请号: | 201821902958.X | 申请日: | 2018-11-19 |
| 公开(公告)号: | CN209232948U | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
| 发明(设计)人: | 王群;金鑫;唐章宏;李永卿 | 申请(专利权)人: | 北京麦思通科技有限公司 |
| 主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q1/38;H01Q13/10 |
| 代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 张海青 |
| 地址: | 100000 北京市大兴区经济技术开*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型公开一种NFC天线。本实用新型提供的NFC天线包括:天线层、介质层、磁性层和绝缘层。介质层设置在天线层和磁性层之间,磁性层上刻蚀有缝隙结构,天线层和介质层之间设置有绝缘层,介质层和磁性层之间设置有绝缘层。由于磁性层上刻蚀有缝隙结构,因此,NFC天线存在对应的气隙结构,气隙结构能够有效抑制材料中的感应磁场,减小感应磁场对原磁场的衰减,从而降低天线的能量损耗。同时,由于磁性层设置有缝隙结构,能够增加磁性层的磁阻,一方面能够调控线圈电感和分布电容,实现阻抗匹配,另一方面还能够防止磁性层因磁饱和而失去磁场屏蔽性能。 | ||
| 搜索关键词: | 磁性层 介质层 绝缘层 缝隙结构 天线层 本实用新型 感应磁场 气隙结构 刻蚀 磁场屏蔽性能 分布电容 能量损耗 线圈电感 有效抑制 阻抗匹配 磁饱和 磁阻 减小 衰减 磁场 天线 调控 | ||
【主权项】:
1.一种NFC天线,其特征在于,所述NFC天线包括:天线层、介质层、磁性层和绝缘层,其中,所述介质层设置在所述天线层和所述磁性层之间,所述磁性层上刻蚀有缝隙结构,所述天线层和所述介质层之间设置有所述绝缘层,所述介质层和所述磁性层之间设置有所述绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京麦思通科技有限公司,未经北京麦思通科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821902958.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。





