[实用新型]一种整流电路、充电电路以及电器设备有效
| 申请号： | 201821885333.7 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN209200953U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 刘扬华 | 申请（专利权）人： | 深圳和而泰智能控制股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/219 | 分类号： | H02M7/219;H02M1/14;H02J7/02;H02J7/06;H02J7/10 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 宋建平 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型实施方式涉及整流技术领域，特别是涉及一种整流电路、充电电路以及电器设备。该整流电路包括：第一P型MOS管、第二P型MOS管、第一N型MOS管和第二N型MOS管；该整流电路通过第一P型MOS管、第二P型MOS管、第一N型MOS管和第二N型MOS管来实现全桥同步整流电路，MOS管具有导通内阻小的特性，一般可达几十毫欧，甚至几毫欧，也有热稳定度好的特性，当环境温度变化时，内阻变化也很小，由于整流电路不再设置有整流二极管，避免了整流二极管带来的较大压降以及损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 整流电路 整流二极管 充电电路 电器设备 全桥同步整流电路 环境温度变化 本实用新型 内阻变化 热稳定度 整流技术 导通 内阻 压降 | ||
【主权项】：
1.一种整流电路，其特征在于，包括：第一P型MOS管、第二P型MOS管、第一N型MOS管和第二N型MOS管；所述第一P型MOS管的漏极连接交流电源的一端，所述第一P型MOS管的源极分别与外界负载的一端、所述第二P型MOS管的源极连接，所述第一P型MOS管的栅极分别与所述第一N型MOS管的栅极、所述交流电源的另一端、所述第二P型MOS管的漏极、所述第二N型MOS管的漏极连接，所述第一N型MOS管的漏极分别与所述交流电源的一端、所述第二P型MOS管的栅极、所述第二N型MOS管的栅极连接，所述第一N型MOS管的源极分别与所述外界负载的另一端、所述第二N型MOS管的源极连接。
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