[实用新型]半导体结构以及半导体器件有效
| 申请号： | 201821863910.2 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN208835055U | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 林鼎佑;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提出一种半导体结构以及半导体器件。半导体结构包括硅基层、第一氧化物层和第二氧化物层、阻挡层、硅穿孔以及电极。第一氧化物层和第二氧化物层由下至上依序设于硅基层上，第二氧化物层的上表面开设有容纳槽。阻挡层设于第二氧化物层之上，阻挡层的材质硬度大于第二氧化物层的材质硬度。硅穿孔开设于硅基层、第一氧化物层和第二氧化物层并填充有导电材料，硅穿孔的上端显露于容纳槽的槽底。电极设于容纳槽内。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物层 半导体结构 硅穿孔 硅基层 容纳槽 阻挡层 半导体器件 材质硬度 电极 导电材料 上表面 上端 填充 显露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：硅基层；第一氧化物层和第二氧化物层，由下至上依序设于所述硅基层上，所述第二氧化物层的上表面开设有容纳槽；阻挡层，设于所述第二氧化物层之上，所述阻挡层的材质硬度大于所述第二氧化物层的材质硬度；硅穿孔，开设于所述硅基层、所述第一氧化物层和所述第二氧化物层并填充有导电材料，所述硅穿孔的上端显露于所述容纳槽的槽底；以及电极，设于所述容纳槽内。
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