[实用新型]一种测量SiO2薄膜厚度用的等效物理结构模型有效

专利信息
申请号: 201821794604.8 申请日: 2018-11-01
公开(公告)号: CN209116974U 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: 雷李华;李源;蔡潇雨;魏佳斯;王道档;傅云霞;孟凡娇;孔明;张馨尹 申请(专利权)人: 上海市计量测试技术研究院;中国计量大学
主分类号: G01B11/06 分类号: G01B11/06
代理公司: 上海浦东良风专利代理有限责任公司 31113 代理人: 龚英
地址: 201203 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型为一种测量SiO2薄膜厚度用的等效物理结构模型,其特征在于:所述测量SiO2薄膜厚度是基于椭偏法采用微纳米薄膜厚度标准样片结合等效物理结构模型进行测量的,所述的等效物理结构模型是根据Si/SiO2薄膜的实际多层膜物理结构模型建立的简化等效物理结构模型,实际多层膜物理结构模型顺序包括表面粗糙层、SiO2薄膜层、中间混合层及Si基底,其中所述的中间混合层为Si基底与SiO2薄膜层之间反应产生的SixOy产物膜层。本实用新型可保证不同厂家、型号的椭偏仪建立薄膜物理结构模型的统一性与结果的一致性,为建立和完善微纳米薄膜量值溯源体系奠定基础。
搜索关键词: 物理结构 测量 本实用新型 微纳米薄膜 多层膜 混合层 基底 表面粗糙层 薄膜物理 厚度标准 结构模型 量值溯源 模型建立 产物膜 椭偏法 椭偏仪 薄膜 保证
【主权项】:
1.一种测量SiO2薄膜厚度用的等效物理结构模型,其特征在于:所述的等效物理结构模型是配合基于椭偏法并采用微纳米薄膜厚度标准样片对SiO2薄膜厚度进行测量用的物理结构模型,所述的等效物理结构模型是根据Si/SiO2薄膜的实际多层膜物理结构模型建立的简化等效物理结构模型,实际多层膜物理结构模型顺序包括表面粗糙层、SiO2薄膜层、中间混合层及Si基底,其中所述的中间混合层为Si基底与SiO2薄膜层之间反应产生的SixOy产物膜层。
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