[实用新型]图像传感器有效
| 申请号: | 201821769008.4 | 申请日: | 2018-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN208985985U | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
| 发明(设计)人: | 中村圭 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/372 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 徐川;姚开丽 |
| 地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种图像传感器,所述图像传感器可由堆叠的第一衬底和第二衬底形成。在所述第一衬底中可形成各自具有光电二极管和伴随晶体管的成像像素的阵列。在所述第一衬底中还可形成验证电路。在所述第二衬底中可形成行控制电路。所述行控制电路可将行控制信号提供到所述成像像素的阵列。所述验证电路还可从所述行控制电路接收所述行控制信号。所述第一衬底可包括多个n沟道金属氧化物半导体晶体管并且可不包括任何p沟道金属氧化物半导体晶体管。所述第二衬底还可包括耦接到所述验证电路的p沟道金属氧化物半导体电流源。只有被来自所述行控制电路的控制信号使能的所述验证电路部分可从所述电流源接收电流。 | ||
| 搜索关键词: | 衬底 行控制电路 验证电路 图像传感器 行控制信号 成像像素 电流源 金属氧化物半导体晶体管 金属氧化物半导体 光电二极管 控制信号 晶体管 堆叠 使能 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:第一衬底和第二衬底;成像像素的阵列,所述成像像素的阵列位于所述第一衬底中,其中,每个成像像素包括光电二极管;行控制电路,所述行控制电路位于所述第二衬底中,其中,所述行控制电路被配置成将行控制信号提供到所述成像像素的阵列;和位于所述第一衬底中的验证电路,所述验证电路从所述行控制电路接收所述行控制信号,其中,所述第一衬底包括多个n沟道金属氧化物半导体晶体管并且不包括任何p沟道金属氧化物半导体晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





