[实用新型]用于制备硅片表面氧化铝膜的装置有效
| 申请号: | 201821734680.X | 申请日: | 2018-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN208980794U | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
| 发明(设计)人: | 陈五奎;刘强;曹卫宏;任超;陈磊 | 申请(专利权)人: | 乐山新天源太阳能科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/40 |
| 代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 李玉兴 |
| 地址: | 614000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种能够避免尾排管爆炸的用于制备硅片表面氧化铝膜的装置。该装置包括设置有炉门的真空沉积室,真空沉积室内设有石墨舟,真空沉积室上设有进气口与排气口,进气口上连接有用于通入制程气体的导气管,排气口上连接有真空泵,真空泵的出口连接有尾排管,通过尾排管上设置尾气处理装置,真空沉积室内反应完毕的废气在真空泵的作用下,尾气先经过气爆室与空气发生反应,再经过水爆室内与水发生反应,尾气再进入甲烷燃烧时将生成的甲烷燃烧殆尽后再进入尾排管,进入尾排管的尾气由于不含有三甲基铝也就不会发生爆炸,避免了尾排管经常发生爆炸的危险情况发生,其安全性大大提高。适合在太阳能电池硅片加工设备领域推广应用。 | ||
| 搜索关键词: | 尾排管 真空泵 进气口 尾气 真空沉积室 硅片表面 甲烷燃烧 氧化铝膜 真空沉积 排气口 室内 制备 爆炸 太阳能电池硅片 尾气处理装置 本实用新型 出口连接 加工设备 三甲基铝 导气管 气爆室 石墨舟 炉门 水爆 制程 废气 | ||
【主权项】:
1.用于制备硅片表面氧化铝膜的装置,包括设置有炉门(1)的真空沉积室(2),真空沉积室(2)内设有石墨舟(3),硅片放置于石墨舟(3)上,真空沉积室(2)上设有进气口(4)与排气口(5),所述真空沉积室(2)内设置有进气主管(6)和排气主管(7),所述进气主管(6)水平设置在石墨舟(3)上方,所述进气主管(6)与进气口(4)连通,所述进气口(4)上连接有用于通入制程气体的导气管(8),所述排气主管(7)水平设置在石墨舟(3)下方,所述排气主管(7)与排气口(5)连通,所述排气口(5)上连接有真空泵(9),真空泵(9)的进口与排气口(5)连通,真空泵(9)的出口连接有尾排管(10),其特征在于:所述尾排管(10)上设置有尾气处理装置(13),所述尾气处理装置(13)包括依次相连的气爆室(1301)、水爆室(1302)、甲烷燃烧室(1303),所述气爆室(1301)上连接有空气导管(1304),所述空气导管(1304)的末端设置有鼓风机(1305),所述空气导管(1304)上设置有第一单向气阀(1306),所述水爆室(1302)内盛装有水,所述真空泵(9)与气爆室(1301)之间的尾排管(10)上设置有第二单向气阀(1307)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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