[实用新型]用于制备氧化铝膜的PECVD装置

摘要

本实用新型公开了一种能够使真空沉积室内的温度保持在一个稳定的范围内的用于制备氧化铝膜的PECVD装置。该装置包括设置有炉门的真空沉积室，真空沉积室内设有石墨舟，真空沉积室上设有进气口与排气口，真空沉积室内设置有进气主管和排气主管，进气口上连接有用于通入制程气体的导气管，排气口上连接有真空泵，真空泵的出口连接有尾排管，通过在导气管与进气口之间设置预热装置，预热装置可以对三种制程气体的混合气体进行加热，避免温度较低的制程气体对真空沉积室内的温度造成较大的影响，可以保证真空沉积室内的温度保持在一个稳定的范围内，使得最后形成的氧化铝膜质量均匀一致。适合在太阳能电池硅片加工设备领域推广应用。

主权项

1.用于制备氧化铝膜的PECVD装置，包括设置有炉门(1)的真空沉积室(2)，真空沉积室(2)内设有石墨舟(3)，硅片放置于石墨舟(3)上，真空沉积室(2)上设有进气口(4)与排气口(5)，所述真空沉积室(2)内设置有进气主管(6)和排气主管(7)，所述进气主管(6)水平设置在石墨舟(3)上方，所述进气主管(6)与进气口(4)连通，所述进气口(4)上连接有用于通入制程气体的导气管(8)，所述排气主管(7)水平设置在石墨舟(3)下方，所述排气主管(7)与排气口(5)连通，所述排气口(5)上连接有真空泵(9)，真空泵(9)的进口与排气口(5)连通，真空泵(9)的出口连接有尾排管(10)，其特征在于：所述导气管(8)与进气口(4)之间设置有预热装置(12)，所述预热装置(12)包括保温箱体(1201)，所述保温箱体(1201)内设置有换热管(1202)，所述换热管(1202)的左端伸出保温箱体(1201)并且与导气管(8)连通，所述换热管(1202)的右端伸出保温箱体(1201)与进气口(4)连通，所述保温箱体(1201)的右端连接有导气管A(1203)，所述导气管A(1203)的末端与真空泵(9)的出口连通，所述保温箱体(1201)的左端连接有导气管B(1204)，所述导气管B(1204)的末端与尾排管(10)的入口连通。