[实用新型]一种红外探测器有效
申请号: | 201821680444.4 | 申请日: | 2018-10-16 |
公开(公告)号: | CN208738282U | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 中山科立特光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 528458 广东省中*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种红外探测器及其制备方法,包括衬底层,设置于衬底层上的半导体层,所述半导体层上方还设置有贵金属膜,该金属膜上设置有多个倾斜的排列的金属棒;该红外探测器,是基于肖特基结的红外探测器,通过红外光影响肖特基结周围的电场分布,从而改变肖特基结的势垒电压,通过检测肖特基结的势垒电压的变化,实现对红外信号的探测,而且该红外探测器,在红外区域具有较宽频域的吸收性,而且光电转化率高,对于红外光的识别性好,制备过程中不需要进行退火,能够将金属膜、金属棒一次完成,制备方案简单。 | ||
搜索关键词: | 红外探测器 肖特基结 红外光 半导体层 势垒电压 衬底层 金属棒 金属膜 制备 退火 本实用新型 光电转化率 电场分布 贵金属膜 红外区域 红外信号 一次完成 制备过程 宽频域 吸收性 探测 检测 | ||
【主权项】:
1.一种红外探测器,其特征在于:包括衬底层(1),设置于衬底层(1)上的半导体层(2),所述半导体层(2)上方还设置有贵金属膜(3),该金属膜(3)上设置有多个倾斜的排列的金属棒(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的