[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201821600459.5 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN208738211U | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 穆天蕾 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底；第一沟槽，形成于半导体衬底内；衬垫层，形成于第一沟槽的侧壁；隔离层，位于第一沟槽内，且至少覆盖衬垫层的侧面及顶部；第一介质层，位于第一沟槽内，第一介质层的厚度小于第一沟槽的深度；第二沟槽，位于第一沟槽内，且位于第一介质层及隔离层的上方；第二介质层，位于第二沟槽内。本实用新型采用隔离层覆盖保护衬垫层及沟槽边缘处的介质层侧壁，避免边缘缺口缺陷的形成；采用分步填充介质层的制备方法，得到了没有空洞缺陷且具有矩形截面的半导体浅沟槽隔离结构，改善了隔离效果，提升了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 隔离层 半导体结构 本实用新型 衬垫层 侧壁 衬底 半导体 半导体浅沟槽隔离 保护衬垫 边缘缺口 产品良率 隔离效果 沟槽边缘 空洞缺陷 覆盖 填充 制备 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底；第一沟槽，形成于所述半导体衬底内；衬垫层，形成于所述第一沟槽的侧壁；隔离层，位于所述第一沟槽内，且至少覆盖所述衬垫层的侧面及顶部；第一介质层，位于所述第一沟槽内，所述第一介质层的厚度小于所述第一沟槽的深度；第二沟槽，位于所述第一沟槽内，且位于所述第一介质层及所述隔离层的上方；及第二介质层，位于所述第二沟槽内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
