[实用新型]一种渐变折射率纳米结构结合纳米透镜的LED结构有效
| 申请号： | 201821593249.8 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN209104184U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 陈湛旭;万巍;陈泳竹;林家勇;何影记 | 申请（专利权）人： | 广东技术师范学院 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林瑞云 |
| 地址： | 510665 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种渐变折射率纳米结构结合纳米透镜的LED结构，是在传统LED结构的表面制备具有渐变折射率的纳米结构与微透镜阵列从而提高传统LED芯片出光效率。该新型的LED结构包括衬底，形成与衬底上的非掺杂GaN层、形成于所述非掺杂GaN层上的n掺杂GaN层、形成于所述n掺杂GaN层上的多量子阱层，形成于所述多量子阱层上的p掺杂GaN层、形成于所述p掺杂GaN层上的ITO透明电极层、形成于所述ITO透明电极层上的纳米结构，所述的纳米结构包括ITO纳米柱阵列、在ITO纳米柱阵列间隙的聚苯乙烯材料和在表面的微透镜阵列结构。本实用新型提供的新型高效率LED结构，与其他结构相比，出光效率显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米结构 渐变折射率 非掺杂GaN层 本实用新型 多量子阱层 纳米柱阵列 出光效率 纳米透镜 传统LED 衬底 微透镜阵列结构 聚苯乙烯材料 微透镜阵列 新型高效率 表面制备 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种渐变折射率纳米结构结合纳米透镜的LED结构，包括LED本体,其特征在于：所述LED本体依次包括衬底、非掺杂GaN层、n掺杂GaN层、多量子阱层、p掺杂GaN层、ITO透明电极层和纳米结构层，所述纳米结构层包括ITO纳米柱阵列、在所述ITO纳米柱阵列间隙的聚苯乙烯PS材料和在所述纳米结构层表面的聚苯乙烯PS微透镜阵列结构。
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