[实用新型]半导体互连结构

摘要

本实用新型提供一种半导体互连结构，包括：基底；介电层，位于基底的上表面，介电层内形成有接触孔，接触孔的侧壁包括位于下部的竖直侧壁及位于上部的倾斜侧壁，竖直侧壁经由倾斜侧壁与介电层的上表面相连接，倾斜侧壁与竖直侧壁及介电层的上表面均斜交；接触孔上部的横向开口尺寸大于接触孔下部的横向尺寸；种子层，形成于接触孔的底部、竖直侧壁、倾斜侧壁及介电层的上表面；金属层，以至少包括多阶段电流密度渐增的电镀方式形成于接触孔内，金属层无孔洞填充方式填实接触孔。本实用新型对接触孔的顶部形貌进行调整，可以有效避免悬突的产生；金属层以无孔洞的方式填满接触孔，减小填充的金属层的电阻值，提高器件的可靠性。

主权项

1.一种半导体互连结构，其特征在于，包括：基底；介电层，位于所述基底的上表面，所述介电层内形成有接触孔，所述接触孔的侧壁包括位于下部的竖直侧壁及位于上部的倾斜侧壁，所述竖直侧壁经由所述倾斜侧壁与所述介电层的上表面相连接，所述倾斜侧壁与所述竖直侧壁及所述介电层的上表面均斜交；所述接触孔上部的横向开口尺寸大于所述接触孔下部的横向尺寸；种子层，形成于所述接触孔的底部、所述竖直侧壁、所述倾斜侧壁及所述介电层的上表面；及金属层，以至少包括多阶段电流密度渐增的电镀方式形成于所述接触孔内，所述金属层无孔洞填充方式填实所述接触孔。