[实用新型]一种n型硅片的异质结太阳能电池有效
申请号: | 201821533625.4 | 申请日: | 2018-09-19 |
公开(公告)号: | CN210956690U | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 范继良 | 申请(专利权)人: | 黄剑鸣 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/18 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 林丽明 |
地址: | 中国香港新*** | 国省代码: | 香港;81 |
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摘要: | 本实用新型公开一种基于n型硅片的异质结太阳能电池,包括n型硅片、正面i层硅薄膜、正面p层硅薄膜、反面i层硅薄膜、反面n层硅薄膜、正面薄膜导电层和反面薄膜导电层,正面薄膜导电层和反面薄膜导电层中至少一面为氧化锌薄膜导电层,其中,n型硅片正面依次沉积正面i层硅薄膜、正面p层硅薄膜和正面薄膜导电层,其背面依次沉积反面i层硅薄膜、反面n层硅薄膜和反面薄膜导电层。本实用新型的异质结太阳能电池的制作方法为完全干式工艺,干净卫生,同时可以实施全自动化生产减省人手,且真空镀膜的制程成本也比较低,大大提高本实用新型的市场应用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 异质结 太阳能电池 | ||
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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