[实用新型]一种新型光敏二极管

摘要

本实用新型公开了一种新型光敏二极管，包括p型电极、p型半导体层、本征半导体层、n型半导体层、SiO2层和n型电极，所述p型电极、p型半导体层、本征半导体层、n型半导体层和SiO2层依次层叠设置，所述SiO2层的四周留有用于进行切割的切割道，所述n型电极穿过SiO2层连接至n型半导体层。所述SiO2层的四周留有切割道，所述切割道为无二氧化硅区域，而SiO2层为有二氧化硅区域，做出来的图形有明显的颜色区别，切割时能够很好地分辨；另外，由于留有切割道，所述切割道为无二氧化硅区域，因此在切割时不会影响到SiO2层的结构，能够保护切割区域周围的SiO2层免遭到物理破坏，避免了因SiO2层破坏而出现漏电的情况，大大保护了光敏二极管的性能。

主权项

1.一种新型光敏二极管，其特征在于：包括p型电极(100)、p型半导体层(200)、本征半导体层(300)、n型半导体层(400)、SiO2层(500)和n型电极(600)，所述p型电极(100)、p型半导体层(200)、本征半导体层(300)、n型半导体层(400)和SiO2层(500)依次层叠设置，所述SiO2层(500)的四周留有用于进行切割的切割道(900)，所述n型电极(600)穿过SiO2层(500)连接至n型半导体层(400)。