[实用新型]IGBT驱动电路有效

专利信息
申请号: 201821480149.4 申请日: 2018-09-11
公开(公告)号: CN209001919U 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 姚超;杨力俊 申请(专利权)人: 浙江艾罗网络能源技术有限公司
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567;H03K17/687
代理公司: 杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217 代理人: 项军
地址: 311500 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型涉及电子技术领域,尤其涉及IGBT驱动电路,包括:与IGBT的栅极连接的驱动电路、以及连接在IGBT的栅极、发射极之间的消隐电路;所述消隐电路包括第一电容、第一电阻、MOS管、第一二极管,所述第一电容的一端连接驱动电路以及IGBT的栅极,另一端连接MOS管的栅极,所述第一电阻的一端连接MOS管的栅极,另一端连接MOS管的源极,所述MOS管的源极连接IGBT的发射极,MOS管的漏极连接第一二极管的负极,所述第一二极管的正极连接IGBT的栅极。本实用新型可以实现以下效果:通过增加消隐电路消除由于电路和器件寄生电容电感引起的驱动波形上升沿IGBT GE之间的震荡,减小对IGBT驱动电压的冲击和EMC的影响。
搜索关键词: 一端连接 二极管 消隐电路 本实用新型 驱动电路 电容 发射极 电阻 电子技术领域 电容电感 器件寄生 驱动波形 驱动电压 源极连接 栅极连接 正极连接 负极 上升沿 减小 漏极 源极 电路 震荡
【主权项】:
1.IGBT驱动电路,其特征在于,包括:与IGBT的栅极连接的驱动电路、以及连接在IGBT的栅极、发射极之间的消隐电路;所述消隐电路包括第一电容、第一电阻、MOS管、第一二极管,所述第一电容的一端连接驱动电路以及IGBT的栅极,另一端连接MOS管的栅极,所述第一电阻的一端连接MOS管的栅极,另一端连接MOS管的源极,所述MOS管的源极连接IGBT的发射极,MOS管的漏极连接第一二极管的负极,所述第一二极管的正极连接IGBT的栅极。
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