[实用新型]能降低导通压降和关断损耗的沟槽栅IGBT器件有效
| 申请号： | 201821409259.1 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN208460770U | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 杨晓鸾;许生根;张金平;姜梅 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种能降低导通压降和关断损耗的沟槽栅IGBT器件，其在第二导电类型基区内设置第一导电类型源区，所述第一导电类型源区与第一导电类型杂质区分别位于元胞沟槽的两侧，元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅，所述栅极导电多晶硅通过元胞沟槽内的绝缘栅氧化层与元胞沟槽的侧壁、底壁绝缘隔离；在第一导电类型漂移区的上方设置源极金属以及栅极金属，所述源极金属与第一导电类型源区、第二导电类型基区以及第二导电类型杂质区欧姆接触，栅极金属与栅极导电多晶硅以及第一导电类型杂质区欧姆接触。本实用新型结构紧凑，能同时降低导通压降和关断损耗，优化IGBT器件的折衷特性，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 元胞沟槽 栅极导电多晶硅 导通压降 关断损耗 源区 本实用新型 导电类型 欧姆接触 源极金属 栅极金属 沟槽栅 杂质区 导电类型杂质 绝缘栅氧化层 绝缘隔离 漂移区 侧壁 底壁 基区 填充 优化 | ||
【主权项】：
1.一种能降低导通压降和关断损耗的沟槽栅IGBT器件，包括半导体基板以及位于所述半导体基板中心的元胞区，所述半导体基板包括第一导电类型漂移区以及位于所述第一导电类型漂移区内上部的第二导电类型基区；元胞区包括若干元胞，每个元胞内包括两个元胞沟槽，所述元胞沟槽位于第二导电类型基区内且元胞沟槽的深度伸入第二导电类型基区下方的第一导电类型漂移区内；在所述第一导电类型漂移区内还设置第二导电类型杂质区，所述第二导电类型杂质区的底部与元胞沟槽的槽底接触；其特征是：在所述第二导电类型杂质区内还设置对称分布的第一导电类型杂质区，所述第一导电类型杂质区邻近元胞沟槽；在所述IGBT器件的截面上，在第二导电类型基区内设置第一导电类型源区，所述第一导电类型源区与第一导电类型杂质区分别位于元胞沟槽的两侧，元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅，所述栅极导电多晶硅通过元胞沟槽内的绝缘栅氧化层与元胞沟槽的侧壁、底壁绝缘隔离；在第一导电类型漂移区的上方设置源极金属以及栅极金属，所述源极金属与第一导电类型源区、第二导电类型基区以及第二导电类型杂质区欧姆接触，栅极金属与栅极导电多晶硅以及第一导电类型杂质区欧姆接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏中科君芯科技有限公司，未经江苏中科君芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821409259.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：平面栅IGBT器件
- 下一篇：降低光伏组件潜在诱因衰减效应的光伏组件结构
- 同类专利
- 专利分类
