[实用新型]一种发光二极管结构有效
| 申请号： | 201821382222.4 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN208538897U | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 何晨光;陈志涛;赵维;吴华龙;贺龙飞;张康;刘晓燕;刘云洲;廖乾光 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 吴迪 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型实提出一种发光二极管结构，涉及半导体技术领域。该发光二极管结构包括衬底，位于衬底一侧的缓冲层；位于缓冲层远离衬底一侧的多个间隔设置的氮化物支撑柱；以及基于氮化物支撑柱外延生长形成的发光层。本实用新型实提供的发光二极管结构具有能够抑制裂纹的形成、改善N型AlGaN的晶体质量以及有利于提高器件的光提取效率的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管结构 衬底 本实用新型 氮化物 缓冲层 支撑柱 半导体技术领域 光提取效率 间隔设置 外延生长 发光层 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构包括：衬底；位于所述衬底一侧的缓冲层；位于所述缓冲层远离所述衬底一侧的多个间隔设置的氮化物支撑柱；以及基于所述氮化物支撑柱外延生长形成的发光层。
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