[实用新型]一种带有屏蔽栅的超结IGBT

摘要

本实用新型公开了一种带有屏蔽栅的超结IGBT，其包括半导体基板，元胞区以及终端保护区，半导体基板包括第二导电类型集电极区、第一导电类型场终止层和至少一层的第一导电类型外延层；元胞区包括若干个相互并联连接的元胞，其包括若干个元胞沟槽以及填充于元胞沟槽内的栅极导电多晶硅和屏蔽栅，元胞沟槽相对栅极导电多晶硅的槽口两侧和侧壁上设有第七氧化层，栅极导电多晶硅和屏蔽栅之间设有第五氧化层，元胞沟槽相对屏蔽栅的底部和侧壁上设有第四氧化层；第一导电类型外延层内还设置有P柱，P柱的一端连接第二导电类型阱层，另一端朝向第一导电类型场终止层延伸。本实用新型采用屏蔽栅结构，降低了米勒电容，从而降低开关损耗。

主权项

1.一种带有屏蔽栅的超结IGBT，包括半导体基板、位于所述半导体基板上的元胞区以及位于所述元胞区外圈的终端保护区，所述半导体基板包括第二导电类型集电极区，以及依次设于所述第二导电类型集电极区上方的第一导电类型场终止层和至少一层的第一导电类型外延层，所述至少一层的第一导电类型外延层远离所述第二导电类型集电极区的上表面形成第一主面，所述至少一层的第一导电类型外延层内还设置有紧邻所述第一主面设置的第二导电类型阱层；所述元胞区包括若干个相互并联连接的元胞，其特征在于，所述元胞包括：若干个元胞沟槽，其一端设于所述第一主面上，另一端延伸至所述第一导电类型外延层内,所述元胞沟槽的深度深于所述第二导电类型阱层；栅极导电多晶硅，其填充于每一所述元胞沟槽内，所述栅极导电多晶硅覆盖所述元胞沟槽槽口并沿所述第一主面朝向所述元胞沟槽的槽口两侧延伸形成栅极导电多晶硅延伸部；所述元胞沟槽相对所述栅极导电多晶硅的槽口两侧和侧壁上设有第七氧化层；屏蔽栅，其设于所述栅极导电多晶硅下方，所述栅极导电多晶硅和屏蔽栅之间设有第五氧化层；所述元胞沟槽相对所述屏蔽栅的底部和侧壁上设有第四氧化层；所述至少一层的第一导电类型外延层内还设置有P柱，所述P柱的一端连接所述第二导电类型阱层，所述P柱的另一端朝向第一导电类型场终止层延伸。