[实用新型]场效应器件、反熔丝、随机数生成装置有效
| 申请号： | 201821293999.3 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN208722889U | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李运宁;沈健;王文轩 | 申请（专利权）人： | 深圳市为通博科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京合智同创知识产权代理有限公司 11545 | 代理人： | 李杰 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区南头*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种场效应器件、反熔丝、随机数生成装置，场效应器件包括介质层、源端掺杂区、漏端掺杂区、栅端掺杂区以及衬底，其中，所述介质层设置在所述衬底与所述栅端掺杂区之间；所述源端掺杂区及所述漏端掺杂区设置在所述衬底上，且所述栅端掺杂区分别与所述源端掺杂区和所述漏端掺杂区形成一交叠区，所述交叠区对应有所述介质层，所述交叠区在其对应的所述介质层被击穿后呈现低阻态，从而使得可通过一个场效应器件实现基于一位随机数的反熔丝，进一步实现物理不可克隆技术，从而简化了实现结构，以及进一步缩减了晶圆面积。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 场效应器件 介质层 反熔丝 交叠区 衬底 漏端 源端 栅端 随机数生成装置 低阻态 随机数 击穿 晶圆 克隆 申请 | ||
【主权项】：
1.一种场效应器件，其特征在于，包括介质层、源端掺杂区、漏端掺杂区、栅端掺杂区以及衬底，其中，所述介质层设置在所述衬底与所述栅端掺杂区之间；所述源端掺杂区及所述漏端掺杂区设置在所述衬底上，且所述栅端掺杂区与所述源端掺杂区形成第一交叠区，所述栅端掺杂区和所述漏端掺杂区形成第二交叠区，所述第一交叠区和第二交叠区分别等效形成一反熔丝电容。
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