[实用新型]具有金属柱化芯片的多芯片射频封装模块结构有效
| 申请号: | 201821288975.9 | 申请日: | 2018-08-10 |
| 公开(公告)号: | CN208903999U | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
| 发明(设计)人: | 付伟 | 申请(专利权)人: | 付伟 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/522 |
| 代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 沈晓敏 |
| 地址: | 215123 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本实用新型揭示了一种具有金属柱化芯片的多芯片射频封装模块结构,包括:封装基板,具有间隔分布的第一、第二、第三腔室;第一滤波器芯片,位于第一腔室,具有第一电极;第二滤波器芯片,位于第二腔室,具有第二电极;放大器芯片,位于第三腔室,具有第三电极;RF开关芯片,设置于基板上方,具有第四电极,第一、第二、第三电极位于同侧;互连结构导通第一、第二、第三、第四电极,互连结构包括金属柱,用于第四电极与第一、第二、第三电极的互连。本实用新型将多个芯片封装于同一封装基板,实现芯片高度集成;滤波器、放大器及RF开关芯片呈上下分布,提高基板利用率,简化互连结构;滤波器及放大器芯片内嵌于腔室中,使得结构更加轻薄。 | ||
| 搜索关键词: | 芯片 第三电极 互连结构 电极 金属柱 腔室 本实用新型 滤波器芯片 封装基板 模块结构 射频封装 多芯片 放大器 滤波器 滤波器及放大器 放大器芯片 基板利用率 第二电极 第二腔室 第一电极 第一腔室 高度集成 间隔分布 上下分布 芯片封装 轻薄 互连 导通 基板 内嵌 同侧 | ||
【主权项】:
1.一种具有金属柱化芯片的多芯片射频封装模块结构,其特征在于,包括:封装基板,具有相对设置的基板上表面及基板下表面,且所述封装基板具有间隔分布的第一腔室、第二腔室及第三腔室,所述基板下表面的一侧具有若干外部引脚,所述封装基板具有若干通孔;第一滤波器芯片,位于所述第一腔室,所述第一滤波器芯片具有相对设置的第一上表面及第一下表面,所述第一上表面与所述基板上表面位于同侧,且所述第一上表面具有若干第一电极;第二滤波器芯片,位于所述第二腔室,所述第二滤波器芯片具有相对设置的第二上表面及第二下表面,所述第二上表面与所述基板上表面位于同侧,且所述第二上表面具有若干第二电极;放大器芯片,位于所述第三腔室,所述放大器芯片具有相对设置的第三上表面及第三下表面,所述第三上表面与所述基板上表面位于同侧,且所述第三上表面具有若干第三电极;RF开关芯片,设置于所述封装基板的上方,所述RF开关芯片具有相对设置的第四上表面及第四下表面,所述第四下表面与所述基板上表面面对面设置,且所述第四上表面具有若干第四电极;若干互连结构,用于导通若干第一电极、若干第二电极、若干第三电极及若干第四电极,其中,所述互连结构包括金属柱,所述金属柱用于实现所述第四电极与所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极的至少其中之一之间的互连,所述互连结构通过所述通孔而导通若干第一电极、若干第二电极、若干第三电极及若干外部引脚。
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