[实用新型]MEMS传感器有效
| 申请号： | 201821231896.4 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN209065411U | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 徐香菊 | 申请（专利权）人： | 歌尔科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;H05K1/02 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊;袁文婷 |
| 地址： | 266100 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种MEMS传感器，包括外壳和PCB组成的封装结构，在封装结构内部PCB上设置有MEMS芯片和ASIC芯片；其中，在PCB内部与MEMS芯片和ASIC芯片相对应的位置设置有空腔，并且在PCB上设置有MEMS芯片和ASIC芯片的一面设置有凹槽，其中，凹槽与空腔的边缘相对应，并且与空腔相连通。利用本实用新型，能够解决如何降低MEMS芯片受到的封装应力的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 本实用新型 封装结构 空腔 封装应力 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS传感器，包括外壳和PCB组成的封装结构，在所述封装结构内部PCB上设置有MEMS芯片和ASIC芯片；其特征在于，在所述PCB内部与所述MEMS芯片和ASIC芯片相对应的位置设置有空腔，并且在所述PCB上设置有所述MEMS芯片和ASIC芯片的一面设置有凹槽，其中，所述凹槽与所述空腔的边缘相对应，并且与所述空腔相连通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于歌尔科技有限公司，未经歌尔科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821231896.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：地磁传感器件
- 下一篇：一种氯化氢合成石墨炉用燃烧装置
