[实用新型]半导体结构及芯片有效
| 申请号： | 201821113605.1 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN208722888U | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 倪贤锋;范谦;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构及芯片，包括：衬底、位于所述衬底上的缓冲层、位于所述缓冲层上的第一沟道层、位于所述第一沟道层上的第二沟道层和位于所述第二沟道层上的势垒层。本申请所提供的半导体结构及芯片能够有效提高器件的线性度，无需增加外围电路设计，结构简单。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道层 半导体结构 芯片 缓冲层 衬底 外围电路设计 势垒层 线性度 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底上的缓冲层、位于所述缓冲层上的第一沟道层、位于所述第一沟道层上的第二沟道层和位于所述第二沟道层上的势垒层，所述第一沟道层与第二沟道层之间存在第一二维电子气，所述第二沟道层与所述势垒层之间存在第二二维电子气。
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