[实用新型]半导体器件电阻器有效
| 申请号： | 201821055534.4 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN208797046U | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | T·戴格尔;A·乔丹;H·亚萨;G·马希尔 | 申请（专利权）人： | 半导体组件工业公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及包括通孔和多个金属层的半导体器件电阻器。在一个通常方面，装置可包括第一端子、第二端子以及在所述第一端子与所述第二端子之间延伸的电阻元件。所述电阻元件可包括与第一金属层的第一区段和第二金属层的第一区段接触的第一通孔，并且可包括与所述第二金属层的所述第一区段和所述第一金属层的第二区段接触的第二通孔。所述装置还可包括与所述第一金属层的所述第二区段和所述第二金属层的第三区段接触的第三通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 通孔 第二金属层 第一金属层 半导体器件 电阻元件 电阻器 金属层 延伸 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件电阻器，包括：第一端子；第二端子；和在所述第一端子与所述第二端子之间延伸的电阻元件，所述电阻元件包括：与第一金属层的第一区段和第二金属层的第一区段接触的第一通孔；与所述第二金属层的所述第一区段和所述第一金属层的第二区段接触的第二通孔；以及与所述第一金属层的所述第二区段和所述第二金属层的第二区段接触的第三通孔，超过一半的所述电阻元件由具有的温度系数小于所述第一金属层或所述第二金属层中的至少一者的温度系数的材料制成。
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