[实用新型]多路充电优先级控制装置有效
| 申请号: | 201821003693.X | 申请日: | 2018-06-27 |
| 公开(公告)号: | CN208257481U | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
| 发明(设计)人: | 孙钦利;刘渊;张冰 | 申请(专利权)人: | 大唐终端技术有限公司 |
| 主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
| 代理公司: | 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙) 11487 | 代理人: | 郭鸿雁 |
| 地址: | 300203 天津市滨海新区空港经*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | 本实用新型提出了一种多路充电优先级控制装置,包括:至少两路充电互锁电路,每路充电互锁电路包括:一对PMOS‑FET管、NMOS‑FET管、第一电阻、第二电阻,其中,一对PMOS‑FET管作为电流通路,由NMOS‑FET管向第一PMOS‑FET管和第二PMOS‑FET管提供导通偏压,驱动第一PMOS‑FET管和第二PMOS‑FET管。本实用新型实现多个充电接口之间互锁,避免电流互灌,保证用户的安全,并且导通阻抗低,器件选型灵活,成本低廉,可扩展性强。 | ||
| 搜索关键词: | 充电 优先级控制装置 本实用新型 互锁电路 电阻 多路 充电接口 导通阻抗 电流通路 可扩展性 器件选型 导通 互锁 两路 驱动 灵活 安全 保证 | ||
【主权项】:
1.一种多路充电优先级控制装置,其特征在于,包括:至少两路充电互锁电路,每路所述充电互锁电路包括:一对PMOS‑FET管、NMOS‑FET管、第一电阻、第二电阻,其中,所述一对PMOS‑FET管作为电流通路,包括:第一PMOS‑FET管和第二PMOS‑FET管,所述第一PMOS‑FET管和第二PMOS‑FET管的栅极相连,形成背靠背结构设置,所述NMOS‑FET管的栅极与所述第一电阻的一端连接,所述第一电阻的另一端接地,所述NMOS‑FET管的源极接地,由所述NMOS‑FET管向所述第一PMOS‑FET管和第二PMOS‑FET管提供导通偏压,驱动所述第一PMOS‑FET管和第二PMOS‑FET管;所述第一PPMOS‑FET管和第二PMOS‑FET管的栅极和源极之间连接所述第二电阻,向所述第一PPMOS‑FET管和第二PMOS‑FET管提供关断偏压,所述NMOS‑FET管导通后,钳位另一组充电互锁电路的NMOS‑FET管的栅极电压,以使另一对PMOS‑FET管无法导通,实现优先级控制,任意两路充电互锁电路之间通过二极管连接。
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