[实用新型]电容器及半导体存储器有效
| 申请号： | 201820984291.6 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN208240669U | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 张臻贤;李够生 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种电容器及半导体存储器，包括在衬底上设置绝缘层，绝缘层中设置存储节点接触塞；下电极经由电容支撑结构设置在存储节点接触塞上；电容支撑结构设置在绝缘层上，电容支撑结构中形成电容成型孔；电容支撑结构中形成有显露多个邻近的电容成型孔的电容开孔；下电极的端口显露于电容开孔中；上电极包括上电极填充物，上电极填充物填充在电容成型孔中；下电极显露于电容开孔内的端口高度平齐于电容支撑结构的顶部支撑层的上表面。本实用新型由于对电容支撑结构进行了改进，使得下电极在电容开孔内和电容开孔外的孔壁高度相等，且下电极显露于电容开孔内的端口高度平齐于电容支撑结构的顶部支撑层的上表面，因此增加了电极接触面积。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 电容支撑结构 开孔 下电极 绝缘层 成型孔 电极 显露 电容器 半导体存储器 本实用新型 顶部支撑层 填充物 上表面 平齐 存储节点接触 电极接触 高度相等 节点接触 设置存储 衬底 孔壁 填充 邻近 改进 | ||
【主权项】：
1.一种电容器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上设置绝缘层，所述绝缘层中间隔设置若干存储节点接触塞；下电极，经由电容支撑结构间隔设置在所述存储节点接触塞上；所述电容支撑结构设置在所述绝缘层上，所述电容支撑结构中形成有若干电容成型孔，以配置所述下电极；所述电容支撑结构中形成有显露多个邻近的所述电容成型孔的电容开孔；所述下电极的端口显露于所述电容开孔中；以及上电极，包括上电极填充物，所述上电极填充物填充在所述电容成型孔中，且经由所述电容开孔填充在所述电容支撑结构的内部和外部；其中，所述下电极显露于所述电容开孔内的端口高度平齐于所述电容支撑结构的顶部支撑层的上表面。
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