[实用新型]功率半导体器件有效
| 申请号： | 201820967474.7 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN208271906U | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 李述洲;王兴龙;徐向涛;刘道广;万欣;晋虎 | 申请（专利权）人： | 重庆平伟实业股份有限公司;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/552 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 405200*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 一种功率半导体器件，包括：第一类型掺杂的半导体层；位于所述半导体层表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体层内的第二类型掺杂的体区；位于所述体区之间的半导体层内的载流子吸收区。所述功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。 | ||
| 搜索关键词： | 功率半导体器件 半导体层 栅极结构 掺杂的 体区 半导体层表面 载流子吸收 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：第一类型掺杂的半导体层；位于所述半导体层表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体层内的第二类型掺杂的体区；位于所述体区之间的半导体层内的载流子吸收区。
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