[实用新型]半导体电容装置

摘要

本实用新型提供一种半导体电容装置，采用包含第一牺牲层、第一支撑层、第二牺牲层、第二支撑层、第三牺牲层及第三支撑层的三层牺牲层及三层支撑层的叠层结构，以提高电容高度，通过将第一牺牲层及第二牺牲层分两次沉积形成下层及上层，且每一牺牲层中上层的硼比例较下层的硼比例低，使得上层的硬度较下层高，以提高蚀刻电容孔时叠层结构的结构强度。采用化学机械研磨工艺去除阻挡层的过程中，阻挡层的去除速率大于第一导电层的去除速率，使得第一导电层具有凸出于第三支撑层的凸出部，可进一步提高双面电容的下电极的面积，从而提高整体电容值。

主权项

1.一种半导体电容装置，其特征在于，包括：基底，所述基底具有多个电容触点；双面电容器，包括：连接于所述电容触点的第一导电层，覆盖于所述第一导电层的内表面及外表面的电容介质层，以及覆盖于所述电容介质层外表面的第二导电层；第一支撑层，连接于所述第一导电层的下部侧壁，位于所述基底之上并与所述基底具有第一间距，所述第一支撑层具有第一开口；第二支撑层，连接于所述第一导电层的中部侧壁，位于所述第一支撑层之上并与所述第一支撑层具有第二间距，所述第二支撑层具有第二开口；以及第三支撑层，连接于所述第一导电层的顶部侧壁，位于所述第二支撑层之上并与所述第二支撑层具有第三间距，所述第三支撑层具有第三开口，所述第三支撑层的厚度大于所述第一支撑层的厚度，且所述第三支撑层的厚度大于所述第二支撑层的厚度，以稳定支撑所述双面电容器；其中，所述第一导电层具有凸出于所述第三支撑层的凸出部，且所述凸出部的顶缘被所述电容介质层及所述第二导电层包覆，以使所述双面电容器的电极高度大于由所述第一支撑层、所述第二支撑层和所述第三支撑层所构成的支撑高度。