[实用新型]半导体存储单元有效
| 申请号： | 201820821746.2 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN208142178U | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 周步康 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 宋珊珊;陈建焕 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型实施例公开了一种半导体存储单元。半导体存储单元包括：衬底；多个有源区，间隔地设置在所述衬底中；浅沟道隔离结构，设置在相邻的所述有源区之间，以隔离所述有源区；多条字线，间隔地设置在所述有源区中；源极，设置在有源区中且位于在两条所述字线之间；漏极，分别设置在所述浅沟道隔离结构的两侧，所述漏极位于所述有源区内，且所述漏极的上端具有台阶；以及位线，设置在所述源极上方。 | ||
| 搜索关键词： | 源区 半导体存储单元 漏极 浅沟道隔离 衬底 源极 字线 本实用新型 上端 位线 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储单元，其特征在于，包括：衬底；多个有源区，间隔地设置在所述衬底中；浅沟道隔离结构，设置在相邻的所述有源区之间，以隔离所述有源区；多条字线，间隔地设置在所述有源区中；源极，设置在有源区中且位于在两条所述字线之间；漏极，分别设置在所述浅沟道隔离结构的两侧，所述漏极位于所述有源区内，且所述漏极的上端具有台阶；以及位线，设置在所述源极上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
