[实用新型]有源阵列和随机存储器有效
| 申请号： | 201820809060.1 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN208142177U | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/115;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 张臻贤;王珺 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种有源阵列和随机存储器，有源阵列包括半导体基板及有源区单元和隔离间隙构成的间距单元，其中，光刻胶曝光显影的最小尺寸为间距单元的奇数倍；随机存储器包括有源阵列、器件单元和浅槽隔离结构，器件单元形成于有源区单元上，填充隔离间隙以形成浅槽隔离结构。本实用新型的有源阵列通过提高光刻极限精度，以获得更小尺寸的间距单元，从而满足随机存储器中特定的小间距单元需求。 | ||
| 搜索关键词： | 随机存储器 间距单元 浅槽隔离结构 本实用新型 隔离间隙 器件单元 源区 半导体基板 曝光显影 光刻胶 奇数倍 光刻 填充 | ||
【主权项】：
1.一种有源阵列，其特征在于，包括：半导体基板；以及形成于所述半导体基板中的有源区单元和在相邻的所述有源区单元之间的隔离间隙构成的间距单元；其中，光刻胶的曝光显影尺寸的最小特征尺寸为所述间距单元的特征尺寸的奇数倍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
