[实用新型]一种沟槽MOS肖特基势垒二极管版图结构有效
| 申请号： | 201820800141.5 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN208142189U | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 马文力;顾晓春;姚伟明 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 谈杰 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种沟槽MOS肖特基势垒二极管版图结构，包括由下至上的N+衬底、N外延层以及N外延层上的沟槽结构，所述沟槽结构包括元胞区沟槽结构以及围绕所述元胞区沟槽结构的终端区沟槽结构，所述元胞区沟槽结构包括若干独立的环形沟槽，且环形沟槽平行排列成一排。本实用新型可以保证沟槽刻蚀过程中的深度、宽度、形貌以及多晶刻蚀后的剩余厚度、宽度、表面形貌一致性，有效降低生产成本，并提高产品的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽结构 元胞区 肖特基势垒二极管 本实用新型 版图结构 环形沟槽 沟槽MOS 形貌 表面形貌 沟槽刻蚀 良品率 终端区 衬底 多晶 刻蚀 保证 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽MOS肖特基势垒二极管版图结构，包括由下至上的N+衬底、N外延层以及N外延层上的沟槽结构，其特征在于，所述沟槽结构包括元胞区沟槽结构以及围绕所述元胞区沟槽结构的终端区沟槽结构，所述元胞区沟槽结构包括若干独立的环形沟槽，且环形沟槽平行排列成一排。
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