[实用新型]刻针基座、刻针和刻针装置有效
| 申请号: | 201820798456.0 | 申请日: | 2018-05-25 |
| 公开(公告)号: | CN207818597U | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
| 发明(设计)人: | 丁阳 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京尚伦律师事务所 11477 | 代理人: | 杜莹 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种刻针基座、刻针和刻针装置。所述刻针装置包括:刻针基座和安装在刻针基座上的刻针,且刻针基座和刻针通过相反磁极连接。通过本实用新型的技术方案,可方便快速地安装、更换刻针,同时,磁场的原理又是同性相斥异性相吸,因而,可减小安装误差,使得刻针能够通过磁力更精确地安装、更换,从而缩短由于更换刻针而产生的子电池停机生产时间,进而有利于保证子电池的连续生产。 | ||
| 搜索关键词: | 针基座 针装置 本实用新型 子电池 安装误差 同性相斥 相反磁极 异性相吸 磁力 减小 停机 磁场 保证 生产 | ||
【主权项】:
1.一种刻针基座,其特征在于,包括基座本体和第一磁片,其中:所述第一磁片,位于所述基座本体上,用于在磁场作用下与刻针连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





