[实用新型]一种高压功率模块有效
| 申请号: | 201820788845.5 | 申请日: | 2018-05-25 |
| 公开(公告)号: | CN208298812U | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
| 发明(设计)人: | 任思瀚;石彩云;杨胜松;曾秋莲 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/13 | 分类号: | H01L23/13;H01L25/07;H01L29/739;H01L29/868 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型提供一种高压功率模块,包括:基板、IGBT芯片和FRD芯片,所述基板的边缘转角处为圆角,所述IGBT芯片和FRD芯片设置在基板上并通过电路图案连接,所述电路图案的转角处为多角或圆角。通过在电路图案的转角处设置多角或圆角来增加转角区域的平滑度,避免尖锐的倒角,有效降低局部放电现象;通过将基板的转角做圆角处理,减少电场集中,提高抵抗热应力性,降低衬板在应用中崩坏的风险。 | ||
| 搜索关键词: | 基板 圆角 电路图案 转角处 高压功率 多角 局部放电现象 本实用新型 转角 电场集中 转角区域 平滑度 热应力 衬板 倒角 抵抗 尖锐 应用 | ||
【主权项】:
1.一种高压功率模块,其特征在于,包括:基板、IGBT芯片和FRD芯片,所述基板的边缘转角处为圆角,所述IGBT芯片和FRD芯片设置在基板上并通过电路图案连接,所述电路图案的转角处为多角或圆角。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司,未经比亚迪股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201820788845.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:空调器和功率器件
- 下一篇:电极及功率半导体模块





