[实用新型]一种双层绝缘层倒装芯片有效
| 申请号： | 201820749644.4 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN208142210U | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘兆;吕奇孟;邬新根;杨国武;霍子曦;曹衍灿;唐浩;胡慧琴 | 申请（专利权）人： | 江西乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李婷婷;王宝筠 |
| 地址： | 330103 江西省南昌市新*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种双层绝缘层倒装芯片，包括衬底，位于衬底上依次层叠设置的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层、金属反射层、防扩散层、第一绝缘层、金属电极层、第二绝缘层、焊接电极层；其中，金属电极层包括第一金属电极层和第二金属电极层，在平行于衬底表面的平面内，第一金属电极层为连通的整片金属电极层，且焊接电极层中的第二焊接电极层完全覆盖第二金属电极层。因此，减少了金属电极层边缘相对于第一绝缘层之间的台阶个数，从而避免了后续覆盖第二绝缘层后形成台阶的数量，进而减少了第二绝缘层因覆盖在台阶处出现破损的情况，因此，降低了因第二绝缘层破损导致的焊接电极层与金属电极层之间出现漏电的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 金属电极层 绝缘层 焊接电极层 双层绝缘层 倒装芯片 衬底 破损 第二型半导体层 第一型半导体层 本实用新型 金属反射层 漏电 衬底表面 防扩散层 依次层叠 台阶处 覆盖 源层 整片 连通 平行 | ||
【主权项】：
1.一种双层绝缘层倒装芯片，其特征在于，包括：衬底；位于衬底上依次层叠设置的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层、金属反射层、防扩散层、第一绝缘层、金属电极层、第二绝缘层、焊接电极层，其中，所述第一型半导体层为N型半导体层，所述第二型半导体层为P型半导体层；所述金属电极层包括第一金属电极层和第二金属电极层，在平行于所述衬底表面的平面内，所述第一金属电极层为连通的整片金属电极层；所述第一金属电极层与所述第一型半导体层电性连接；所述第二金属电极层与所述金属反射层电性连接；所述焊接电极层包括第一焊接电极层和第二焊接电极层，所述第一焊接电极层与所述第一金属电极层电性连接，所述第二焊接电极层完全覆盖所述第二金属电极层，并与所述第二金属电极层电性连接。
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