[实用新型]一种深紫外多量子阱波导

摘要

本实用新型属于光信号处理器件技术领域，涉及一种深紫外多量子阱波导及其制作方法，主体结构包括下保护层、衬底层、芯层、包覆层和上保护层，在衬底层上采用两种或者两种以上的组合材料，生长高/低折射率交替的低折射率层和高折射率层，再将低折射率层和高折射率层刻蚀成矩形限制区作为芯层，在芯层的周围生长包覆层，最后在衬底层的底面和包覆层的顶面分别生长下表护层和上保护层，得到矩形结构的紫外多量子阱波导，通过设计低折射率层和高折射率层的层数和厚度自由改变芯层的有效折射率差，为深紫外量子阱波导提供了灵活的设计思路、简单的结构和制作方法；其在深紫外波段上对深紫外吸收较小，能够作为各种光波导器件的原材料。

主权项

1.一种深紫外多量子阱波导，其特征在于主体结构包括下保护层、衬底层、芯层、包覆层和上保护层；矩形板状结构的下保护层的上表面设置有矩形块状结构的衬底层，衬底层的中心设置有矩形块状结构的芯层，芯层的前部、后部、左部、右部和上部裹覆有包覆层，包覆层的上表面设置有矩形板状结构的上保护层；芯层的主体结构包括低折射率层和高折射率层，低折射率层和高折射率层按照一层低折射率层，一层高折射率层的顺序由下至上交替设置，最后由一层低折射率层封顶，低折射率层的层数为n，高折射率层层数为n‑1。