[实用新型]一种SiC结势垒肖特基二极管有效
| 申请号： | 201820717286.9 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN208521941U | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 孙茂友;宋李梅;周丽哲 | 申请（专利权）人： | 江苏矽导集成科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈栋智 |
| 地址： | 225000 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了二极管领域内的一种SiC结势垒肖特基二极管，包括N+‑SiC衬底；形成于N+‑SiC衬底背部的阴极电极；形成于N+‑SiC衬底上的同型N‑‑SiC外延层；形成于N‑‑SiC外延层上的SiO2介质层和阳极电极；形成于阳极电极下的P‑结终端扩展结构；P‑型结终端扩展位于肖特基结的外边缘处，具有渐变的掺杂浓度。本实用新型中的SiC肖特基二极管采用浓度渐变的结终端扩展结构，解决了结终端扩展结构对掺杂浓度和剂量过于敏感的问题，可用于电力电子领域。 | ||
| 搜索关键词： | 结终端 衬底 结势垒肖特基二极管 本实用新型 扩展结构 阳极电极 外延层 渐变 掺杂 电力电子领域 肖特基二极管 二极管 肖特基结 阴极电极 终端扩展 介质层 外边缘 可用 敏感 | ||
【主权项】：
1.一种SiC结势垒肖特基二极管，其特征在于，包括N+‑SiC衬底；形成于所述N+‑SiC衬底背部的阴极电极；形成于所述N+‑SiC衬底上的同型N‑‑SiC外延层；形成于所述N‑‑SiC外延层上的SiO2介质层和阳极电极；形成于所述阳极电极下的P‑结终端扩展结构；所述P‑型结终端扩展结构位于肖特基结的外边缘处，具有渐变的掺杂浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏矽导集成科技有限公司，未经江苏矽导集成科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820717286.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种VDMOS的器件终端结构
- 下一篇：一种碳化硅结势垒肖特基二极管
- 同类专利
- 专利分类
