[实用新型]改善金属迁移的芯片结构、发光二极管显示屏和显示装置

摘要

本申请公开一种改善金属迁移的芯片结构、发光二极管显示屏和显示装置，所述改善金属迁移的芯片结构包括衬底，位于衬底上的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层，以及第一电极、第二电极，完全覆盖第一电极的第一防迁移电极和完全覆盖第二电极的第二防迁移电极，由于增加设置了防迁移电极，所述防迁移电极完全覆盖原来电极，并且与半导体层电性连接，使得防迁移电极完全包裹住原来的电极，避免原来的第一电极和第二电极中的Cr层暴露在空气中，从而避免了显示芯片在正常使用过程中出现Cr金属迁移的异常现象，保证了Cr层的粘附作用，进而避免了LED芯片结构的电极脱落的问题。

主权项

1.一种改善金属迁移的芯片结构，包括：衬底；位于所述衬底表面，且沿背离所述衬底的方向依次设置的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层；位于所述第二型半导体层背离所述衬底表面的透明导电层；位于所述透明导电层背离所述衬底表面的钝化层；第一电极，所述第一电极位于所述第一型半导体层上，且与所述第一型半导体层电性连接；第二电极，所述第二电极位于所述透明导电层上，且与所述透明导电层电性连接；其特征在于，所述第一电极和所述第二电极沿背离所述衬底的方向依次包括层叠的Cr层和Al层；还包括：第一防迁移电极，所述第一防迁移电极完全覆盖所述第一电极，且与所述第一型半导体层电性连接；第二防迁移电极，所述第二防迁移电极完全覆盖所述第二电极，且与所述透明导电层电性连接。